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CMOS图像传感器在工业自动化中的应用

电子设计 2019-01-29 08:18 次阅读

成像正在成为许多嵌入式系统开发的关键部分。本文着眼于图像传感技术 - 从传感器到算法和IP - 越来越多地可用于工业视觉。

图像传感器在各种工业自动化应用中越来越受欢迎。成熟的CMOS技术正在提供更大的传感器阵列,以提供更大的视野,以及更快的图像捕获,以满足视觉检测的要求。同时,新的成像架构和新的软件算法正在提高识别速度,并使系统更具成本效益。随着现场可编程门阵列(FPGA)密度的增加和成本的降低,这些算法在工厂车间变得越来越有用,再次有助于图像传感器的普及。虽然传统观点认为机器视觉需要最高分辨率(见表1),但CMOS设备的新架构可提供更高的性能,而标准CMOS设备则用于工厂车间的更多成像和自动化应用。

终端设备类型典型分辨率HDTV 1920 x 1080像素数字影院4096 x 1714像素视频会议1280 x 720像素医学影像3000 x 3000像素工业监控1280 x 720像素军事监视4000 x 4000像素机器视觉4000 x 4000像素

CMOS传感器是工业成像的支柱。虽然它们的分辨率不如双极电荷耦合器件(CCD),但它们具有成本效益和坚固性,可用于工业成像。汽车市场中用于车道检测等应用的相同耐用性和可靠性现在可用于工业视觉。虽然CCD在工业视觉中具有性能优势,但主流传感器和相机的成本降低使得视觉成本有效地用于工厂车间,高端CMOS传感器的性能提升直接与CCD技术竞争。

新设备可以以每秒600帧的速度捕获图像,用于基本机器视觉应用,动态范围超过64 dB。像素的流水线操作可以在读出前述帧期间集成帧;正是这种结构,以及1/50,000的低寄生光灵敏度,可以将传感器的固定模式噪声(FPN)降低到室温下小于0.1%的全摆幅和暗电流噪声。

CMOS图像传感器在工业自动化中的应用

图1:用于工业成像的CMOS技术。

FPGA支持工业成像

FPGA的降低成本和不断增加的密度也有助于提高视觉系统在工业自动化中的渗透率。 Altera和Xilinx等厂商正在其低成本FPGA系列上实现可视化处理算法,这些FPGA系列现在具有足够的逻辑和存储密度以及内存在该市场中非常有效。莱迪思还在优化其FPGA,作为特定图像传感器的接口,例如来自Aptina的图像传感器,以便更快,更轻松地构建视觉检测系统。例如,Altera的可重编程Cyclone III FPGA现在可以实现低成本的H.264编码器或用作DSP协处理器,以最小的工程工作量为系统添加可视处理功能,如滤波器和平滑功能。这对于检查和监视系统来说非常强大,允许为特定应用程序实现一系列第三方算法。 Cyclone III EP3CLS150F484C8具有超过150,000个逻辑单元,用于支持图像IP; Altera的评估板和评估板,如DK-DEV-3C120N和Terasic的P0037,与Altera的Quartus开发工具一起提供了这些器件的开发平台。

CMOS图像传感器在工业自动化中的应用

图2:Cyclone III FPGA开发套件。

内存最高可达4 Mbits的片上内存,用于视频帧缓冲。数字信号处理(DSP)乘法器高达288个嵌入式18位x 18位乘法器,性能为260 MHz,可处理DSP密集型视频算法。视频和图像处理(VIP)套件一套9个预先优化的视频和图像知识产权(IP)内核,包括去隔行器,缩放器和滤波器。 Nios II Embedded

软处理器多功能嵌入式软处理器,用于实现低成本微控制器。

为了支持更高带宽的传感器,Aptina使用名为HiSPi的高速串行接口。这可以在一到四个串行数据通道和一个时钟通道上运行。每个信号都是差分信号,可以高达700 Mbps的速度运行。这是FPGA的理想应用,莱迪思半导体使用Lattice XP2-5非易失性FPGA创建了从HiSPi到并行总线的桥接器(图3),该FPGA符合工业温度范围。 RD1120参考设计支持多种HiSPi格式,如分组化或流数据,并已使用Aptina传感器进行测试。

CMOS图像传感器在工业自动化中的应用

图3:Aptina HiSPi高电平的莱迪思电桥实现速度图像传感器接口。

莱迪思还推出了一款适用于IP摄像机HDR-60的参考设计,这是一款基于莱迪思FPGA系列的可投入生产的高清摄像机,可用于工业自动化应用。

该设计预装了一个基于德国莱迪思合作伙伴Helion IP核的图像处理流水线,可以提供1080p分辨率,每秒60帧,具有2D降噪和高动态范围(HDR)。它的设计适用于市售的相机外壳,能够通过简单的USB接口同时支持两个传感器。该套件采用Aptina 720p HDR传感器,提供业界最快的自动曝光,超过120 dB的系统动态范围,高效的自动白平衡算法和2D降噪 - 所有这些都通过FPGA实现流式传输而无需外部帧缓冲器,可实现极低的延迟并降低系统成本。板载DDR2内存还支持3D降噪,多个传感器的图像拼接,图像旋转和去翘曲等应用。

虽然该套件采用LatticeECP3-70 FPGA设计,但IP管道仅需要较低密度的LatticeECP3-35器件,剩余空间可用于实验和添加自定义IP。

CMOS图像传感器在工业自动化中的应用

图4:莱迪思HDR-60 IP高清摄像机参考设计的图像处理流水线链接到Aptina图像传感器。

Xilinx Spartan-6也用于工业视觉系统。这可以支持广泛的图像处理IP,用于边缘增强,缺陷像素和颜色校正,以及滤色器阵列插值。

工业成像的参考设计使用带有两个子卡的Spartan-6 LX150T FPGA和带DVI/HDMI输出和DVI/HDMI输入的双图像传感器输入。

Systems

传感器本身的分辨率和帧速率只是工业用户面临的挑战之一。还有其他问题,如温度,湿度和EMC,需要由相机制造商解决。

Aven Tools的26100-240 130万像素摄像头使用Aptina 1/3英寸传感器(3.6微米x 3.6微米像素),以15 fps的速度提供1280 x 1024的水平分辨率。这是针对工业应用,通过USB 2.0的科学级非破坏性图像输出和专利设计,以防止电磁干扰,在恶劣的工业环境中至关重要。 220 g装置可轻松安装到生产线上,并通过标准USB电缆连接回控制器。

CMOS图像传感器在工业自动化中的应用

图5:26100-240 1.3 Aven Tools的百万像素摄像头。

微型相机正在进入受空间限制的工业应用。这些相机尺寸仅为29 x 29 x 30 mm,直接针对机器和计算机视觉应用,具有以60 fps运行的320万像素传感器和USB 3.0接口。

USB 3.0正在迅速获得业界的认可,这主要得益于其更高的带宽,更高的可靠性和架构,以及各种硬件平台上的广泛可用性。 USB 3.0的传输速度为384 MBytes,几乎是USB 2.0的10倍,比Firewire快5倍。现在,许多嵌入式系统都提供USB 3.0端口,可最大限度地提高系统兼容性,并最大限度地减少对附加PCI或PCI Express接口卡的需求。

结论

CMOS技术已经迅速赶上了CCD的性能。凭借Aptina的A-Pix等新型像素架构和HiSPi等高速接口,CMOS传感器可提供与CCD相同的性能水平。随着FPGA技术密度的增加和成本的降低,现在有更多机会与图像传感器一起实施新算法,以进一步提高成像的准确度和分辨率,并允许更具成本效益的渗透到工业市场。更精确的边缘和图案检测算法有助于系统设计在特定应用中充分利用图像传感器的性能。

随着更多CMOS传感器被应用于汽车设计中,具有更宽的温度范围和抗干扰性,该技术正在工业成像和视觉系统中得到应用,从而减小了尺寸,功耗和成本,同时实现了生产线的更多自动化。从监控摄像头到特定的视觉检测系统,CMOS图像传感器是许多工业应用的核心。

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74LVC245 八路收发器,CMOS,低电压

信息 74LVC245A是一款高性能,非反相八通道收发器,工作电压为1.2V至5.5V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC245A输入。 74LVC245A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。 A和B端口的电流驱动能力均为24mA。发送/接收(T / Rbar)输入确定通过双向收发器的数据流的方向。发送(高电平有效)使能从A端口到B端口的数据;接收(低电平有效)使能从B到A端口的数据。输出使能输入,当为高电平时,通过将它们置于高电平状态来禁用A和B端口。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证V = 0 V 24 mA输出灌电流和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:45 0次 阅读
74LVC245 八路收发器,CMOS,低电压

74LVC126 低压CMOS四路缓冲器,三态

信息 74LVC126A是一款高性能,非反相四通道缓冲器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的VI规格允许从5.0 V器件安全驱动74LVC126A输入。 74LVC126A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OEn)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5.0 V容差 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA < / li> ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC126 低压CMOS四路缓冲器,三态

74LVC373 低压CMOS八路透明锁存器

信息 74LVC373A是一款高性能,非反相八通道透明锁存器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5 V器件安全驱动74LVC373A输入。 74LVC373A包含8个D型锁存器,具有3态输出。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn输入上的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每次其D输入改变时锁存器输出将改变状态。当LE为低电平时,锁存器将存储在D输入端的信息存储在LE的高电平到低电平转换之前的建立时间。 3态标准输出由输出使能(OEbar)输入控制。当OEbar为LOW时,启用标准输出。当OEbar为高电平时,标准输出处于高阻态,但这不会干扰进入锁存器的新数据。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和取出 I 规范保证高阻抗时V < / li> = 0 V 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求< / li> 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS...
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74LVC373 低压CMOS八路透明锁存器

74LVC374 低压CMOS Octal D触发器

信息 74LVC374A是一款高性能,非反相八通道D型触发器,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC374A输入。 74LVC374A由8个边沿触发触发器组成,具有独立的D型输入和3态真输出。缓冲时钟和缓冲输出使能(OEbar)对所有触发器都是通用的。八个触发器将存储各个D输入的状态,满足低至高时钟(CP)转换的建立和保持时间要求。 OEbar为低电平时,输出端提供8个触发器的内容。当OEbar为高电平时,输出进入高阻态。 OEbar输入电平不会影响触发器的操作。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 接口能力为5 V TTL逻辑 支持实时插入和取出 I 当V = 0 V 时,规格保证高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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74LVC374 低压CMOS Octal D触发器

74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

信息 74LVC07A是一款高性能十六进制缓冲器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC07A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 兼容LVTTL LVCMOS兼容 24 mA输出接收能力 接近零静态电源电流(10μA)显着降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA 有线或,有线和 输出电平可在外部设置,不会影响设备速度< / li> ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:45 0次 阅读
74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

信息 74LVC06A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC06A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 32 mA输出吸收能力 近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA < / li> 有线连接,有线连接 可在不影响设备速度的情况下在外部设置输出电平 与LCX05功能兼容 ESD表现:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 10次 阅读
74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

74LVC00 低压CMOS四路2输入与非门

信息 74LVC00A是一款高性能,四路2输入与非门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC00A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 16次 阅读
74LVC00 低压CMOS四路2输入与非门

74LVC04 低压CMOS六路反向器

信息 74LVC04A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。如果VCC小于5.0 V,则5.5 V的VI规格允许从5 V器件安全驱动74LVC04A输入。输出端的电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5.0 V容差输入 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和源功能 接近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 16次 阅读
74LVC04 低压CMOS六路反向器

74LVC02 低压CMOS四路2输入NOR门

信息 74LVC02A是一款高性能,四路2输入NOR门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC02A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计为1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型> 2000 V;机器型号> 200 V 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:44 14次 阅读
74LVC02 低压CMOS四路2输入NOR门

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 18次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 20次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 16次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

诺基亚X71国行手机开启预售,6GB+64GB售价2199元

后置三摄像头,主摄像头为4800万像素蔡司光学认证镜头,另外两枚镜头为800万像素120超广角镜头、....
的头像 科技美学 发表于 04-18 18:11 845次 阅读
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微博曝光了一组疑似一加7真机的照片

一加这款无刘海版本的手机型号为GM1915,这与此前蓝牙SIG认证的一款一加设备一致。之前的爆料中也....
的头像 科技美学 发表于 04-18 17:55 788次 阅读
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特斯拉Model 3装车内摄像头 马斯克解释为造自动化出租车

我们希望特斯拉的摄像机不会演变成Airbnb租赁的秘密监视器。
的头像 摄像头观察 发表于 04-18 17:31 850次 阅读
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一张疑似魅族16S的配置清单曝光,展示了新机的部分配置信息

核心规格上,魅族16s采用6.2英寸AMOLED无刘海显示屏,分辨率为2232×1080,搭载高通骁....
的头像 科技美学 发表于 04-18 17:08 827次 阅读
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搭载高通骁龙855旗舰平台的红米旗舰即将登场

而关于Redmi的骁龙855旗舰在设计方面的消息,我们目前还不得而知。小米集团副总裁、红米Redmi....
的头像 科技美学 发表于 04-18 16:59 1223次 阅读
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荣耀又推出了一款名为荣耀8APro的稍强的版本

荣耀8APro配备相同的6.1英寸屏幕,但背面添加了指纹识别模块,其余配置跟Play8A相同,具有3....
的头像 科技美学 发表于 04-18 16:51 693次 阅读
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诺基亚手机宣布了诺基亚9PureView手机的国行版本

官方称,该机背部的五颗摄像头均带有自动对焦马达,可以相互协调工作,实现五摄同时拍摄,达成6000万原....
的头像 科技美学 发表于 04-18 16:12 586次 阅读
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工业4.0让我们曾经熟悉的工厂、车间成了新技术的试验场!

以工业视觉应用中占比最大的电子行业为例,有人估算,仅就智能手机玻璃盖板、触摸屏、显示屏外观检查这一个....
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Maxim宣布推出超小尺寸MAX20049电源管理IC

双buck转换器和低噪声LDO支持4V-17V宽输入电压范围以及8V-10V的同轴电缆供电(POC)....
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手机CMOS图像传感器分析

本报告阐述了智能手机前置和后置CMOS摄像头模组(CCM)及其中的CIS芯片情况,包括主摄像头、广角....
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光学创新永不眠,新动向精彩纷呈

iPhone作为智能手机的开创者和标杆,其像素升级历史最为典型。第一代iPhone的后置摄像头像素只....
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机器视觉缺陷检测在医药、食品行业中的应用

由于医药行业的严格规范,对制药包装的质量也越来越苛刻,当药粒被包装进泡罩后,生产商必须保证所有泡罩内....
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基于DSP图像处理系统构成的光电搜索系统设计

采用TMS320F2812实现视频采集,通过XINTF接口与多片6416-HPI接口连接,实现图像数....
发表于 04-16 15:34 100次 阅读
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2018年镜头出货量九强名单曝光

据了解,舜宇光学手机镜头客户包括三星、华为、小米、OPPO、vivo等知名手机品牌,事实上,除了国内....
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OPPO Reno标准版的入网信息及入网图已经全部曝光了

从OPPO Reno标准版的入网证件照来看,这款手机的正面是屏占比极高的全面屏,能够看到它底部的边框....
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乔童虎表示:前段时间小米9遭遇产能危机是由两方面造成的

乔童虎表示,前段时间小米9遭遇产能危机是由两方面造成的。一方面是因为小米9的后置摄像头采用了后置三摄....
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三星S105G相当于S10+的增强版本。配置三星S105G版上搭载骁龙855,后置水平四摄像头,新增....
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vivo X27的拆解,看看新设计会为手机内部结构带来什么样的变化

vivo 这次不仅将 vivo NEX 上的升降式前置摄像头加入到 X27 上,还将摄像头模块升级成....
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Teledyne e2v进一步扩充Lince系列新推Lince11M图像传感器

Teledyne e2v是Teledyne Technologies旗下公司,同时也是成像解决方案领....
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信利国际:去年收入为197.62亿港元 净利7419万港元

因中国国内智能手机出货量按年下跌15.6%,及人民币贬值,去年信利国际收入较2017年的207.33....
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