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同时挑战台积电与索尼,三星拼了!

章鹰 2019-05-15 10:31 次阅读

三星电子的投资计划和宏伟目标

2019年4月24日,三星电子公布了未来的投资计划和目标。三星电子的投资计划,将在未来12年内(1999年至2030年)将投资133万亿韩元(约1200亿美元)加强系统LSI和晶圆代工业务方面的竞争力,扩大非存储器业务。其中:73万亿韩元(约660亿美元)的国内研发,60万亿韩元(约540亿美元)的生产基础设施,预计每年平均投资11万亿韩元(约100亿美元)。

总体来说,三星电子的目标就是:保持存储芯片全球第一的位置的同时,在晶圆代工领域挑落台积电,在CMOS图像传感器领域击败索尼,在营收方面维持对英特尔的领先,坐稳全球第一大半导体厂商的宝座。

三星电子半导体事业部发展历程

三星电子有限公司半导体事业部是指元件解决方案事业群(Device Solution Business)下面的内存部门(Memory)、系统逻辑部门(SystemLSI)和晶圆代工部门(Foundry);其中内存包括dram、NAND Flash,系统逻辑芯片包括系统级芯片SOC、图像传感器CIS、显示驱动芯片、智能卡芯片、电源管理芯片。

三星电子半导体事业部年收入占三星电子总收入的30%左右,对三星电子公司旗下的信息和手机(IT&Mobile)、消费类电子产品(Consumer Electronics)两大事业部的终端产品而言,是拉大后位竞争者距离,缩小前方领先者差距,并强化重点终端产品差异化程度的重要角色。

三星电子成立于1969年,1974年通过收购韩泰半导体公司(Hankook SeMIconductor)50%的股份,成立半导体事业部,开始进军半导体产业;1975年开发出手表芯片;1977年7月开始生产双极晶体管;1979年收购全资拥有韩泰半导体,并更名三星半导体;1983年正式进军存储器行业,开发出韩国第首个64K DRam;1988年半导体业务和电子及无线通讯业务合并成立三星电子;1994年开始研发DsP;1995年推出第一个8位mcu;1997年推出700MHz Alpha处理器;2000年发布0.25µm 66MHz手机应用处理器S3C44B0X;2002年成立SoC研发中心;2005年进入CMOS传感器领域,并开始晶圆代工业务。

三星半导体在全球拥有七大生产基地,分别位于韩国器兴、韩国华城、韩国安阳、韩国平泽、美国奥斯汀、中国苏州、中国西安。

三星电子半导体事业部目前是全球最大的存储芯片制造商,2018年位居全球营收排行榜第一位。

强化晶圆代工,挑落台积电

1.三星电子晶圆代工发展历程

2005年,三星电子开始进入12英寸逻辑工艺晶圆代工领域,至今已经整整15年了,通过专注于先进的工艺节点,致力为客户提供最优化的产品和服务,目前晶圆代工业务已经成长为面向全球FABLESS产业的低功耗、高性能SOC的代工公司之一。

从2005年到2009年,三星电子的年代工营收不足4亿美元。到2010年啃上苹果(Appple),开始代工苹果A系列处理器(包括A4、A5、A6、A7),代工营业收入出现爆长,2010年整体代工收入激增至12亿美元(其中苹果A系列处理器产品代工收入达8亿美元)。由于苹果手机等移动终端产品出货激增,三星电子的晶圆代工营收水涨船高,到2013年达到39.5亿美元,当年苹果的代工收入占到公司代工总收入的86%。可以说2010--2013年三星电子的代工营收完全是靠苹果在支撑。

由于20纳米工艺制程良率无法突破等多方面的原因,2014年三星电子失去苹果A系列处理器订单,苹果A8处理器全部交由台积电(TSMC)代工;2015年好不容易抢到A9处理器部分订单,但由于良率和功耗控制不如台积电,导致2016年的A10处理器又全部由台积电包圆。由于失去苹果这个大客户,导致2014年和2015年晶圆代工营收出现下滑。

为了填补产能,三星电子代工部门积极出击,抢下高通(Qualcomm)应用处理器和服务器芯片、超微半导体(amd)的微处理器芯片、英伟达(Nvidia)的图形处理芯片、安霸(Ambarella)的视觉处理芯片、特斯拉(Tesla)的自驾系统芯片的订单,得以弥补苹果跑单的窘境。2016年营收达到44亿美元,超过2013年的水平,创下三星电子晶圆代工营收的新纪录。

2.晶圆代工拆分

2017年5月12日,三星电子宣布调整公司业务部门,将晶圆代工业务部门从系统LSI业务部门中独立出来,成立三星电子晶圆代工。据悉,新部门主要负责为全球客户--高通和英伟达等--制造非存储芯片,从而与以台积电为首的纯晶圆代工公司竞争。

根据市场研究公司IC Insights的数据显示,三星电子2017年晶圆代工营收达46亿美元,在全球晶圆代工市场以6%的市占率排名第四,前三分别是台积电(TSMC)的56%,格芯半导体(GlobalFoundries)的9%,联电(UMC)的8.5%;2018年晶圆代工营收达100亿美元,市占率达14%,排名全球第二。

2018年三星电子排名全球第二大晶圆代工公司,并非业绩大增,实乃拆分部门导致。原因是晶圆代工部门自立门户,不再隶属于系统LSI业务。所以现在包括处理器芯片(Exynos等)、CIS图像传感器、显示驱动芯片、电源管理芯片的生产收入都算作晶圆代工部门营收,因此营收一路高涨,市占率一夕飙高。

但千万别因此就小瞧三星的晶圆代工。

下面我们来谈谈三星电子的晶圆代工的产能和工艺等情况。

3.晶圆代工工厂和产能

截止2018年底,三星电子晶圆代工专属线有5条,包括4条12英寸和1条8英寸。

韩国器兴(Kiheung)的S1,建成于2005年,是三星首条12英寸逻辑代工生产线,目前量产65纳米至8纳米低功耗芯片,产品主要用于计算机网络、智能手机、汽车、以及日益成长的物联网市场等。

美国奥斯汀(Austin)的S2是由原8英寸厂改造而来;2010年8月开始洁净室建设,2011年4月开始12英寸逻辑产品投产,当年达产43000片;目前量产65纳米至14纳米产品。2010年设立研发中心,旨在为系统LSI部门开发高性能、低功耗、复杂的cpu和系统IP架构和设计。

韩国华城(Hwasung)的S3,是2018年建成投产的12英寸逻辑生产线,目前主要生产10纳米至8纳米产品,将是三星7纳米产品的主力生产厂。

韩国华城的S4,是原DRAM用产线FAB11进行改造,目前CMOS影像传感器(CIS)专用生产线。位于华城的12英寸DRAM产线FAB13也正在加紧改造为CMOS影像传感器专用生产线。

韩国华城的EUV专用产线自2018年2月开工建设以来,正在加紧建设。工厂将投资60亿美元,将于明年下半年完成建设、2020年正式投产。初期以7纳米产品为主,辅以EUV光刻机。

韩国器兴的8英寸晶圆代工线FAB 6于2016年开放,从180纳米到70纳米节点都可涵盖,工艺技术包括嵌入式快闪记忆体(eFlash)、功率元件、影像感测器CIS,以及高电压制程的生产,主要针对韩国本土的FABLESS。

目前,三星电子代工业务可以提供包括65纳米、45纳米、32/28纳米HKMG、14纳米FinFET、10纳米FinFET、7纳米FinFET EUV工艺,客户包括苹果、高通、超微半导体、赛灵思、英伟达、恩智浦(NXP)以及韩国本土公司Telechips等。

到2019年底,三星电子晶圆代工专属线将增至7条,包括6条12英寸和1条8英寸。

4.晶圆代工工艺:追求先进制程永不停歇

2005年三星电子进入晶圆代工业;2006年首个客户签约65纳米;2009年45纳米工艺开始接单,同年11月在半导体研究所成立逻辑工艺开发团队,以强化晶圆代工业务;2010年1月首个推出32纳米HKMG工艺。

由于苹果订单的丢失,三星在工艺研发方面加大投入,试图证明基其技术领先地位。

2014年推出第一代14纳米FinFET工艺,称作14LPE(Low Power Early,低功耗早期),并于2015年成功量产;2016年1月推出第二代14纳米FinFET工艺并量产,称作14LPP(Low Power Plus,低功耗增强),功耗降低15%,用于Exynos 8 OCTA及高通骁龙(Snapdragon)820处理器;2016年5月推出第三代14纳米FinFET工艺并量产,称作14lpc;2016年11月推出第四代14纳米FinFET工艺,称为14LPU(Low PowerUltimate,低功耗终极)。并在14纳米的基础上,推出微缩版11LPP。

2016年10月17日,第一代10纳米FinFET工艺量产,称为10LPE,首款产品是应用处理器Exynos 8895,另一客户就是高通骁龙830,新工艺性能可以提供27%,功耗将降低40%;2017年11月,开始批量生产第二代10纳米FinFET工艺,称为10LPP,性能提高10%,功耗降低15%,首款产品是Exynos 9810,另一客户就是高通骁龙845;2018年6月,推出了第三代10纳米FinFET工艺,称为10LPU,性能再次得以提升。三星电子采用10纳米的三重图案光刻技术。

三星电子强调,10纳米工艺系列(包括8纳米衍生产品)的生命周期很长。8LPP/8LPU在生产工艺转换为EUV光刻技术之前,具有最大的竞争优势。但我们要注意到,台积电10纳米工艺的营收已经逐季下滑,给人已经放弃的感觉。而7纳米工艺制程已经成为台积电第一大营收来源。

那么我们来看看三星电子的10纳米以下工艺的布局情况。

8LPP:8LPP在生产工艺转换为EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技术之前,具有最大的竞争优势。结合三星10nm技术的关键工艺流程创新,与10LPP相比,8LPP在性能和门电路密度方面提供了额外的优势。2018年11月成功量产Exynos 9系列(9820)。

7LPP:7LPP将是第一个使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。这里要强调两点,一是通过和ASML的合作,开发出了250W最大的EUV源功率,这是EUV进入到大量生产中的最重要的里程碑,EUV光刻技术的部署将打破摩尔定律扩展的障碍,为单一的纳米半导体技术的发展铺平了道路;二是关键IP将于2019年上半年完成研发,下半年将进行投产。

5LPE:5LPE将采用三星独特的智能缩放(Smart Scaling)解决方案,将其纳入基于EUV的7LPP技术之上,可实现更大面积扩展和超低功耗优势。

4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星电子最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET技术,结合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

3LPP:3LPP将第一次使用全新的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多桥接通道场效应晶体管)结构,基于三星电子特有的GAAFET(Gate All Around FET,环绕栅极场效应晶体管)技术。GAAFET需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。预计2020年投入风险性试产。

5、加强封装技术,布局FOPLP

2019年4月,三星电子收购三星电机(SEMcO)的FOPLP业务。三星电子希望作凭籍搭配FOPLP封装技术,再次挑战台积电的InFO,希望抢下2020年苹果A系列处理器的代工订单。

首先我们来了解一下FOPLP。FOPLP是Fan-Out Panel Level Packaging(面板级扇出型封装)的缩写。

据悉,FOPLP可降低封装厚度、增加导线密度、提升产品电性能,面板大工作平台可提高生产效率,可运用于5GAI、生技、自驾车、智慧城市及物联网等相关产品。由于有着成本上的优势,看好面板级扇出型封装技术未来发展。目前积极布局FOPLP的公司除OAST公司安靠(Amkor)、日月光(ASE)/Deca、长电科技(JCET)、纳沛斯(nepes)、力成科技(PTI)、硅品(SPIL)外,还有PCB供应商三星电机(SEMCO)、欣兴电子(Unimicron)。

三星电机(SEMCO,SAMSung Electro-Mechanics)成立于1973年,是三星电子的兄弟公司。三星电机主要由四个业务部门组成:元件解决方案部门,生产无源元件,如多层陶瓷电容(MLCC)和电感;基板解决方案部门,生产高密度互连板(HDI)、封装基板和RFPCB;模组解决方案部门,生产摄像头模组、WiFi模组;FOPLP部门,2016年新设立,从事面板级扇出型封装技术研发。

三星电子在和台积电争抢苹果A系列处理器订单失利后,痛定思痛,决定成立特别工作小组,目标开发先进封装FOPLP技术,且2018年正式应用于三星智能型手表Galaxy Watch的处理器封装应用中。

于是三星电机于2016年正式成立FOPLP部门,并收购三星面板(Samsung Display)位于韩国天安(Cheonan)的液晶面板厂,进行改造,建设FOPLP生产线,2017年10月开始搬入设备,2018年10月正式量产。

三星电机研发FOPLP最初是用来生产电源管理芯片(PMIC),进入2018年之后,开始为三星Galaxy Watch制造用于应用处理器(AP)芯片,预计2019年全面跨入异质集成、晶圆堆叠的3D SiP系统级封装。

三星电机用于Galaxy Watch的FOPLP有3个重布线层(RDL)和1个背面RDL(Backside RDL)。三星电机表示,将标准的层叠(PoP)结构应用于AP和PMIC的多芯片封装,可以将封装的厚度减少20%以上,从而提高了电气和热性能,并有助于扩大产品的电池容量。

三星电机目前使用510x415mm规格的面板制造FOPLP,800x600mm规格的面板已经开发成功。据悉面板尺寸可以根据客户要求更改。

三星电子收购三星电机的POPLP业务,就是要力拼台积电。三星电机在FOPLP技术投入巨大,已量产的FOPLP-PoP与I-Cube 2.5D先进封装技术,据称可与台积电的InFO、CoWoS封装分庭抗礼。

台积电当年就是凭借InFO、CoWoS封装技术从三星电子手中抢到苹果A系列处理器订单。

规划第二跑道,发力FD-SOI

三星电子是FD-SOI的重要推动力量。

按三星电子官方消息,晶圆业务部门的发展路径从28纳米节点开始分为两条,一条是按照摩尔定律继续向下发展,不断提升FinFET的工艺节点,从14纳米到目前的10纳米,进而转向下一步的7纳米,好像,三星把8纳米以下的数字都用上,8纳米、7纳米、6纳米、5纳米、4纳米、3纳米......

另一条线路就是FD-SOI工艺,从28纳米(28FDS)起步,目前推出18纳米(18FDS)。

不过三星研发FD-SOI的时间不长。2014年5月14日,三星电子从意法半导体(STM)获得了28纳米FD-SOI工艺授权许可,并利用它创建了三星的28FDS工艺。2015年有三星电子代工业务人士透露,晶圆质量已于2014年9月确认,产品质量已于2015年3月确认,说明FD-SOI技术已经完全过关了。

28 FDS于2015年开始投入风险生产,2016年正式大规模量产。据悉目前有超过40种产品,为射频应用、嵌入式MRAM提供达400 GHz以上的最大频率,并可应用于汽车。28FDS有一个1.0伏的Vdd。据悉,三星电子在现有的28FDS基础上,于2017、2018年添加RF与嵌入式非挥发性记忆体(NVM)技术,相比成熟的28LPP+eFlash+RF工艺,28FDS+eMRAM+RF更具竞争力,其速度提升了25%。

18FDS将于2019年下半年开始风险生产,大规模量产要到2020。其特点是后端采用三星的成熟14纳米FinFET(14LPE / 14LPP)相同的BEOL互连,但采用了新的晶体管和FEOL。相比28FDS,18FDS提升了22%的性能(在相同的复杂性和功耗下),降低了37%的功耗(在相同的频率和复杂度下),芯片面积减少了35%。据悉,18FDS也将支持RF和eMRAM,使得三星电子代工服务能满足2020年及以后的5G时代RF和嵌入式存储器的各种应用需求。相比28FDS的Vdd(器件内部的工作电压)为1.0V,而18FDS的Vdd仅为0.8V。

2018年6月,ARm公司和三星电子推出业界首款采用28FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)编译器IP。2019年3月,ARM公司和三星电子宣布推出采用18FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)编译器IP,包括7个内存编译器、3个逻辑库、2个GPIO库(1.8和3.3V)、3个POP IP和eMRAM内存编译器;支持汽车AEC-Q100一级设计要求,并配备ASIL-D支持完整的汽车安全套件。

三星电子还利用其在存储器制造方面的技术和规模优势,着力打造eMRAM,以满足未来市场的需求。

2019年3月,三星电子宣布基于28FDS成熟工艺成功规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。

更加关键的是,SOI晶圆供应商Soitec于2019年1月22日宣布扩大与三星电子合作,旨在保证FD-SOI晶圆的供应,加强FD-SOI供应链,并保证三星电子终端客户的大批量生产。

目前,三星电子的FD-SOI客户包括意法半导体、恩智浦、亚马逊(Amazon)旗下的Blink等。

三星电子的两大工艺路线FinFETT和FD-SOI已经准备妥当,正在揖门接单。下面我们来看看三星电子的产品情况,包括应用处理器、CMOS图像传感器等,这些产品能否大卖,将极大影响其代工业务的营收。

应用处理器蓄势待发,挑战现有格局

事实上,智能手机应用处理器(AP)芯片领域,能够摆得上桌面就是华为麒麟、苹果A系列、高通骁龙、联发科曦力和三星电子Exynos,当然还有紫光展锐。

但目前Exynos应用处理器只是三星电子自用,而没有大规模外卖。至于原因,归纳网上各种说法,无外乎主要有两个方面:一个是高通的芯片制造由台积电转向了三星,其中交换的条件就是三星的旗舰手机必须要搭载骁龙处理器,这是一个双赢的局面;另一个原因也是三星电子的无奈,那就是基带通信的问题,由于三星电子没有电信Cdma这方面的专利,所以Exynos处理器其实就是通信的残缺版,无法满足一部分用户的需求,所以三星也不得不将部分旗舰的芯片换成高通骁龙。

2016年韩国公平交易委员会(KFTC)宣判高通专利授权模式违反公平竞争原则,并对高通开出8.54亿美元的高额罚单,创下韩国反垄断史上最高罚金记录。为了降低韩国公平交易委员会开出的天价罚单的影响,2018年2月高通与三星签订了长期交叉授权协议,其内容之一便是允许三星电子Exynos应用处理器SoC供给第三方。

三星电子Exynos应用处理器SoC得以外卖,使得三星电子可以打包兜售的方式进军全球应用处理器市场,将充实自家晶圆代工订单需求,大大拉动其晶圆代工业务的营收,并可以练兵旗下先进制程业务。

重整CMOS图像传感器业务,力拼索尼

2018年12月,三星电子设备解决方案(DS)部门通过组织重组,在系统LSI部门下建立了一个“传感器业务团队”,负责LSI事业部内的CMOS图像传感器产品规划和销售,工艺研发由设备解决方案部门的代工部门完成。

CMOS图像传感器(CIS)可将半导体设备中的光转换成电信号,是数码相机和智能手机的标配。近年来,配备多个相机镜头的智能手机越来越流行,CMOS图像传感器的需求也在不断增加,并且随着自动驾驶车辆越来越受欢迎,CMOS图像传感器需求将进一步激增,原因在于CMOS图像传感器可以成为自动驾驶车辆的视神经,识别道路和周围环境的实时变化。

伴随着手机双摄的应用以及被应用于汽车等领域,CMOS图像传感器的增长需求增长迅速。市场研究公司IC Insights预测,到2022年,图像传感器市场市值预计从2018年的137亿美元增加至190亿美元。

三星电子CMOS图像传感器之前默默无闻,2013年推出ISOCELL技术之后,开始奋起直追。根据IC Insights的数据显示,从销售量上看,三星电子CMOS图像传感器份额在2017年的市场占有率已经达到25.4%,和索尼的28.3%的市占率差距已缩小至3个百分点。但从销售额看,索尼CMOS传感器的全球市占率搞达52.2%,遥遥领先于三星电子的19.1%。从销售额的角度看,三星电子的CMOS图像传感器想要追上龙头索尼,还有段不小距离。

不过三星电子认为独创的ISOCELL技术比索尼技术强,2018年6月推出ISOCELL Plus技术。在推出新技术的同时,三星电子正在提升CMOS图像传感器生产能力,表示要超越索尼(Sony),成为市场领导者。事实上,早在2017年三星电子就开始扩充12英寸CMOS图像传感器产能。截止2017年12月三星电子12英寸CMOS图像传感器的产能为每月4.5万组,2017年开始改造12英寸DRAM产线FAB 11,2018年底完成改造;同时对FAB 13进行改造,据悉,FAB 11和FAB 13的产能超过每月7万组,预计2019年底三星电子CMOS图像传感器产能将达12万组,超过索尼影像传感器每月10万组的产能。

三星电子的传感器业务原来主要面向移动终端市场,现在增加了汽车图像传感器。三星电子表示,公司汽车图像传感器符合行业各种严苛的标准,能够承受从−40°到105°C的极端温度条件,可满足汽车电子委员会AEC-Q100 2级标准(AEC-Q100 Grade 2)要求,凭借卓越的弱暗电流,即使在极端环境下也能提供优质图像。三星电子强调,公司汽车图像传感器采用先进的成像技术,推动着自动驾驶的创新和安全。

2018年10月,三星电子推出了汽车图像传感器品牌ISOCELL Auto。并向特斯拉提供车辆图像传感器,这是三星电子向汽车企业提供CMOS图像传感器的第一例,对三星电子扩大代工事业的意义非常大。

三星电子的底气:抗压能力强

三星电子一方面在位于华城的S3晶圆厂投入了56亿美元升级,部署7纳米LPP EUV制程技术进行风险试产;一方面投资6万亿韩元(约54亿美元)建设全新的EUV产线,预计2019年竣工,2020年扩大生产规模。

三星电子真是大手笔呀!

不过,这对于在风云诡谲的存储器市场血拼了30多年的三星来说,实在不是个事!逆势加码投资,会是三星电子甩开竞争对手的好时机吗?有专家表示,行业景气不好时,正是内部练兵时。

来自芯思想,本文作为转载分享。

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新思科技与Kudan达成合作 共同针对嵌入式视觉处理器优化软件算法

MacBee技术,你了解多少?

每一种协议的兴起都是因为满足了某种场景的需要,比如 蓝牙是为耳机而生,WIFI是为手机、笔记本电脑而....
的头像 Carol Li 发表于 05-25 00:36 1248次 阅读
MacBee技术,你了解多少?

华为持续性巨额投入研发与技术创新 累计投入研发费用近5000亿元

华为是引以为傲的科技企业,前几天关于华为备胎一夜转正刷爆网络,一片叫好。这背后的底气在于华为持续性巨....
的头像 传感物联网 发表于 05-24 17:42 1154次 阅读
华为持续性巨额投入研发与技术创新 累计投入研发费用近5000亿元

硅谷数模全球总部落户苏州高新区创业园 将打造百亿美元市值的国际化半导体公司

据“苏州高新区发布”报道,5月22日,苏州高新区与硅谷数模半导体、山海资本签订合作协议,硅谷数模全球....
的头像 半导体动态 发表于 05-24 17:03 508次 阅读
硅谷数模全球总部落户苏州高新区创业园 将打造百亿美元市值的国际化半导体公司

紫光展锐发布5G通信技术平台马卡鲁及首款5G多模基带芯片春藤510

紫光集团旗下紫光展锐近日宣布,继今年2月发布5G通信技术平台马卡鲁及首款5G多模基带芯片春藤510以....
的头像 集成电路应用杂志 发表于 05-24 16:46 434次 阅读
紫光展锐发布5G通信技术平台马卡鲁及首款5G多模基带芯片春藤510

高通同意向三星支付1亿美元和解金细节流出

5月23日消息,据国外媒体报道,智能手机制造商三星当地时间周三向法庭提交了一份紧急动议,要求修改其与....
的头像 半导体动态 发表于 05-24 16:35 484次 阅读
高通同意向三星支付1亿美元和解金细节流出

OLED与QLED的区别和优势对比

众所周知,QLED所采用的量子点是一种半导体纳米晶体,当受到光或电的刺激时,量子点便会发出有色光线,....
发表于 05-24 15:55 284次 阅读
OLED与QLED的区别和优势对比

高通“扼杀了整个芯片市场的竞争” 引起FTC诉讼

一直以来,高通在手机芯片的收费方式相当“强硬”,约定为手机整机销售额的3%至5%。从手机厂商的角度看....
的头像 每日经济新闻 发表于 05-24 15:39 688次 阅读
高通“扼杀了整个芯片市场的竞争” 引起FTC诉讼

美国曾经与日本打了一场芯片战 最终摧毁日本的芯片产业

在上世纪80年代,美国曾经与日本打了一场芯片战,最终摧毁了日本的芯片产业。黄树东在《大国兴衰》中,向....
的头像 芯论 发表于 05-24 15:09 491次 阅读
美国曾经与日本打了一场芯片战 最终摧毁日本的芯片产业

美国想要一击毙命华为 从而达到贸易战再回到桌面谈判

说到华为被断供,让人很容易想到当初中兴面对这样的打击时,基本上是一击倒地,最后我们不得不接受屈辱的条....
的头像 科工力量 发表于 05-24 14:24 1201次 阅读
美国想要一击毙命华为 从而达到贸易战再回到桌面谈判

主流蓝牙模块的选型与对比分析的详细64222葡京的网址说明

蓝牙模块,串口蓝牙模块等等产品,顾名思义就是实现蓝牙功能的半成品模块产品。主要由蓝牙芯片和外围元器件....
发表于 05-24 14:20 48次 阅读
主流蓝牙模块的选型与对比分析的详细64222葡京的网址说明

华为资深员工怎么看待自主研发芯片等多个元器件?

我在华为的时候,有一段时间在中软研究院工作。其中有几个部门,是专们做备胎的,比如尽管华为在用谷歌的安....
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-24 14:19 1461次 阅读
华为资深员工怎么看待自主研发芯片等多个元器件?

请帮忙看看这个超声波电路中是什么芯片?

学习一块超声波电路,将电路原理图画出来但是有个芯片不知道是什么型号的,只看到开头十个T。请哪位帮忙看看是什么型号。 ...
发表于 05-24 14:09 248次 阅读
请帮忙看看这个超声波电路中是什么芯片?

日本四家公司也计划中止与华为合作

ARM停止与华为合作。华为对此回应:可完全自主设计ARM处理器,掌握核心技术和完整知识产权,具备长期....
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 11:42 1186次 阅读
日本四家公司也计划中止与华为合作

中美贸易博弈 美国败局已定!

今年三月,在「美国优先」的原则下,川普开始向全世界几乎所有重要的国家发出一连串提高关税的通知,从钢和....
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 11:21 642次 阅读
中美贸易博弈 美国败局已定!

华为向全世界证明世界还是那个世界 可是中国已经不是原本的中国

此前,澳洲最大通讯商,TPGTelecom无奈地宣布,由于澳大利亚政府禁止在5G网络建设中使用华为公....
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 11:11 2037次 阅读
华为向全世界证明世界还是那个世界 可是中国已经不是原本的中国

分享点13.56M相关读写芯片RC522模块64222葡京的网址代码成品

目前百度基本上搜不到RC522板子的具体操作代码,基本上贴出来的只有接线,所以这次直接放出读写操作的代码算是做贡献吧。 这个...
发表于 05-24 11:05 183次 阅读
分享点13.56M相关读写芯片RC522模块64222葡京的网址代码成品

中国军用电子元器件国产化率比较高 但还有20%左右需要进口

总体来说,中国军用电子元器件国产化率比较高,但还有20%左右需要进口,其中大部分通过特殊渠道是比较容....
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 10:42 849次 阅读
中国军用电子元器件国产化率比较高 但还有20%左右需要进口

台积电再爆生产丑闻!剧毒尾气的处理上出现监管漏洞

台积电要想恢复业绩增速,首要问题是不能再出差错。
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-24 10:26 399次 阅读
台积电再爆生产丑闻!剧毒尾气的处理上出现监管漏洞

孙又文表示:台积电不会改变对华为的出货态度

唯有客户成功,才是台积电的成功。
的头像 半导体投资联盟 发表于 05-24 10:23 360次 阅读
孙又文表示:台积电不会改变对华为的出货态度

海康威视目前元器件供应稳定 国内芯片供应商已在行业内占据主导地位

海康、大华被传遭美国“断供”,股票一度大跌,公司方回应经营一切正常。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 10:05 785次 阅读
海康威视目前元器件供应稳定 国内芯片供应商已在行业内占据主导地位

海康威视的芯片非常商业化 可以利用其他商业手段来补足

继美国将华为列入 “实体名单”、警告国内无人机厂商后,国内安防龙头海康威视也被“盯上”,禁止他们获得....
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 09:57 618次 阅读
海康威视的芯片非常商业化 可以利用其他商业手段来补足

手机摄像头进化到新阶段,首台6400万像素智能手机今年下半年上市

三星将超小型、高画质图像传感器和整机竞争力融合,使得智能手机摄像头又进化到了一个新阶段。
的头像 CINNO 发表于 05-24 09:55 381次 阅读
手机摄像头进化到新阶段,首台6400万像素智能手机今年下半年上市

苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成 总投资3亿元

据新华社报道,近日,苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 09:47 793次 阅读
苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成 总投资3亿元

釜底抽“芯”,Arm或与华为老死不相往来

华为的 Kirin 处理器设计,是建基在 ARM 的设计授权而生产,若果 ARM 停止跟 Huawe....
的头像 CINNO 发表于 05-24 09:22 1503次 阅读
釜底抽“芯”,Arm或与华为老死不相往来

贸易战的影响还在发酵,美国芯片公司雇佣中国员工越来越难了

白宫这次选择保护美国知识产权,希望可以在没有中国的参与之下,培养自己的独立研发技术的能力。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 09:10 563次 阅读
贸易战的影响还在发酵,美国芯片公司雇佣中国员工越来越难了

国家升级集成电路和软件企业所得税优惠政策 进一步加强扶持力度

据财政部、税务总局近日消息,国家决定升级集成电路和软件企业所得税优惠政策,进一步加强扶持力度。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 09:10 582次 阅读
国家升级集成电路和软件企业所得税优惠政策 进一步加强扶持力度

历时10年的反垄断调查,高通惨败!或将付出巨额罚款

高通在盘前交易中跌超 12%,截止发稿前,跌幅超过 10%。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 08:51 561次 阅读
历时10年的反垄断调查,高通惨败!或将付出巨额罚款

ARM釜底抽“芯”,短期对海思影响不大

ARM回应“暂停与华为业务”报道:不便评价,公司遵守美国法律。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 08:33 882次 阅读
ARM釜底抽“芯”,短期对海思影响不大

热点 | 高通被判垄断:股价大跌11%,上诉充满不确定性

这一裁决可能迫使高通彻底改革其商业行为,导致该公司股价暴跌10.86%。
的头像 澳门新萄京3522工程师 发表于 05-24 08:33 522次 阅读
热点 | 高通被判垄断:股价大跌11%,上诉充满不确定性

十大芯片突破成果

      IBM具有开创性的工作开始于1997年在整个行业中采用铜线取代铝线进行布线,这一创新使电流阻抗立即...
发表于 05-24 07:10 34次 阅读
十大芯片突破成果

复旦FM17522芯片发卡流程

初始化卡的时候必须要添加密钥文件,其作用是控制添加其他密钥的权限; 二进制文件在创建的时候定义了其读写的权限; 所有种类...
发表于 05-24 06:09 38次 阅读
复旦FM17522芯片发卡流程

2019世界半导体大会圆满落幕 共十五家企业和单位获得大会最佳展示奖

南京市委常委、南京江北新区党工委专职副书记罗群,江苏省工业和信息化厅副厅长池宇,江北新区管委会副主任....
发表于 05-23 17:31 445次 阅读
2019世界半导体大会圆满落幕 共十五家企业和单位获得大会最佳展示奖

美国对华为的禁令影响到台湾供应商,台厂获利大幅缩水

继华为被美国商务部工业与安全局加入实体清单后,蝴蝶效应也波及到了台湾的供应商。
的头像 OFweek工控 发表于 05-23 17:19 686次 阅读
美国对华为的禁令影响到台湾供应商,台厂获利大幅缩水

SKY1311读卡芯片的最新开发包64222葡京的网址合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是SKY1311读卡芯片的最新开发包64222葡京的网址合集免费下载包括了:SKY1311....
发表于 05-23 17:15 45次 阅读
SKY1311读卡芯片的最新开发包64222葡京的网址合集免费下载

三星多款智能手表升级 界面功能大变化

2 月 20 日,三星推出了新一代智能手表 Galaxy Watch Active,这款产品在系统....
的头像 ZEALER订阅号 发表于 05-23 17:12 521次 阅读
三星多款智能手表升级 界面功能大变化

国产北斗导航型芯片模块累计销量已突破8000万片 国产北斗芯片已实现规模化应用

日前,第十届中国卫星导航年会在京举行,中国卫星导航系统管理办公室主任冉承其在年会上作了《北斗卫星导航....
的头像 半导体动态 发表于 05-23 17:01 462次 阅读
国产北斗导航型芯片模块累计销量已突破8000万片 国产北斗芯片已实现规模化应用

从P30主板看华为被禁运的影响

据彭博社消息,向华为提供不同类型组件的英特尔(Intel)、高通(Qualcomm)、赛灵斯(Xil....
的头像 芯论 发表于 05-23 17:00 1218次 阅读
从P30主板看华为被禁运的影响

台积电表示5纳米制程明年第1季量产 有信心仍会是全世界最先进的制程技术

晶圆代工厂台积电对先进制程技术发展深具信心,业务开发副总经理张晓强表示,5纳米制程明年第1季量产,仍....
的头像 半导体动态 发表于 05-23 16:57 371次 阅读
台积电表示5纳米制程明年第1季量产 有信心仍会是全世界最先进的制程技术

ARM指示员工停止与华为及其子公司的所有有效合同 遵守美国贸易限制

根据英国广播公司获得的内部文件,英国芯片设计商ARM告诉员工,它必须暂停与华为的业务。
的头像 芯论 发表于 05-23 16:52 633次 阅读
ARM指示员工停止与华为及其子公司的所有有效合同 遵守美国贸易限制

元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加征幅度5-25%。 中国如此...
发表于 05-22 17:43 209次 阅读
元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

请问TI公司有AD5240吗?

TI公司有AD5240这个芯片吗?不是ADS5240.!!
发表于 05-22 10:52 82次 阅读
请问TI公司有AD5240吗?

ODB协议专用芯片问题请教各位

最近在学习下ODB。看看是如何实现与汽车之间的通讯。比较感兴趣。在网上找到有ODB专用芯片,ELM327,国内也有替代的芯...
发表于 05-21 16:44 259次 阅读
ODB协议专用芯片问题请教各位

低功耗DFM和高速接口

近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设...
发表于 05-20 05:00 57次 阅读
低功耗DFM和高速接口

请问芯片边上的焊屏蔽罩的怎么画?

如图,菜鸟求助,这些芯片周围的屏蔽罩的焊点是怎么画...
发表于 05-14 06:19 49次 阅读
请问芯片边上的焊屏蔽罩的怎么画?

请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

各位大神,有没有谁能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma,好像我之前有用一款叫TPS60400,但是电流输出最大60ma,...
发表于 05-13 00:26 59次 阅读
请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 18次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 26次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 20次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 37次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 34次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 36次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器